EMI是指開(kāi)關(guān)電源的控制方式因?yàn)槭遣捎妹}沖寬度調(diào)制技術(shù)，當(dāng)高頻通斷狀態(tài)時(shí)，開(kāi)關(guān)管、變壓器、整流二極管等功率器件在快速瞬變過(guò)程中，會(huì)產(chǎn)生較強(qiáng)的諧波和尖峰干擾噪音，然后通過(guò)輸入輸出線、分布電容的傳導(dǎo)、空間輻射、串?dāng)_等耦合途徑影響周?chē)?/span>電子設(shè)備及自身正常工作。

    開(kāi)關(guān)電源自身產(chǎn)生的電磁干擾占有很寬的頻帶和較強(qiáng)的幅度，如果控制不當(dāng)會(huì)產(chǎn)生電磁干擾污染電磁環(huán)境。隨著開(kāi)關(guān)頻率的提高、輸出功率的增大而增強(qiáng)，已經(jīng)對(duì)電子設(shè)備正常運(yùn)行產(chǎn)生了威脅。因此如何抑制開(kāi)關(guān)電源的電磁干擾，已經(jīng)成為工程師面對(duì)的關(guān)鍵設(shè)計(jì)問(wèn)題之一。

干擾源主要有四個(gè)部分：

1、開(kāi)關(guān)管工作在On-Off快速循環(huán)轉(zhuǎn)換的狀態(tài)時(shí)，dv/dt與di/dt都會(huì)在急劇變換，是電場(chǎng)耦合和磁場(chǎng)耦合的主要干擾源。

2、變壓器的EMI是漏感對(duì)應(yīng)的di/dt快速循環(huán)變換，是磁場(chǎng)耦合的重要干擾源。

3、整流二極管的EMI是在反向恢復(fù)特性上，反向恢復(fù)電流的斷續(xù)點(diǎn)會(huì)在電感（引線電感、雜散電感等）產(chǎn)生高 dv/dt，導(dǎo)致強(qiáng)電磁干擾。

4、PCB是以上三點(diǎn)干擾源的耦合通道，所以它的質(zhì)量直接影響到EMI的效果。

在傳導(dǎo)干擾的傳輸通道有容性、感性、電阻耦合等方面，而輻射干擾的傳輸通道主要是干擾源產(chǎn)出電磁波通過(guò)空氣等介質(zhì)進(jìn)行傳導(dǎo)。

    在開(kāi)關(guān)電源中，電流和電壓的突變（高dv/dt與di/dt）是產(chǎn)生EMI的主要原因。因此抑制措施主要是減少電源產(chǎn)生的干擾源，利用抑制干擾方法，把元器件及電路合理布局，可通過(guò)接地、濾波、屏蔽等方法抑制EMI及提高EMS。

抑制主要由下面幾個(gè)方面入手：

1、降低電流電壓突變其峰值與減緩斜率。

2、壓敏電阻的合理使用，降低浪涌電壓。

3、采用軟恢復(fù)特性二極管，降低高頻段EMI。

4、有源功率因數(shù)校正。

5、合理接地及屏蔽措施。

6、合理設(shè)計(jì)PCB、電源線及濾波。

7、阻尼網(wǎng)絡(luò)抑制過(guò)沖。

傳導(dǎo)解決方法主要有：

1、調(diào)整輸入端濾波電路，如差模干擾可加入差模電感，調(diào)整電感量等。

2、調(diào)整整流管吸收電路參數(shù)，Y電容位置及參數(shù)。

3、改變mos驅(qū)動(dòng)電阻。

4、開(kāi)關(guān)環(huán)路及變壓器與輸出二極管等元件構(gòu)成的電路環(huán)盡量小。

5、輸出接共模。

輻射解決方法部分跟上述所說(shuō)方法差不多，其它的主要有：

1、調(diào)整RCD緩沖電路。

2、mos并聯(lián)小吸收電路。

3、變壓器包銅箔。

4、改變Y電容支路阻抗。

5、在整流管上串磁珠。

一般EMS的問(wèn)題主要方式是加入PFC校正電路、電源濾波器、熱敏電阻、空氣放電管、壓敏電阻等。

    隨著時(shí)代的發(fā)展，電子設(shè)備將會(huì)越來(lái)越多，而開(kāi)關(guān)電源也會(huì)向著高功率密度、小型化發(fā)展，EMI問(wèn)題不容忽視，將會(huì)成為決定其穩(wěn)定性的關(guān)鍵因素之一。