隨著科技的發(fā)展，電子產(chǎn)品對電源供應(yīng)器的要求越來越嚴格。如電源的功率密度不斷提高，對電源的效率越來越高，對待機的功耗要求越來越低等。整流器件從最初的肖特基管整流發(fā)展到使用同步整流開關(guān)管代替二極管以降低功耗。同步整流技術(shù)的好處是大大減少了開關(guān)電源輸出端的整流損耗，提高了轉(zhuǎn)換效率，降低了電源本身的發(fā)熱。

現(xiàn)在有些領(lǐng)域模塊電源發(fā)展趨勢是低電壓、大電流。使得在次級整流電路中選用同步整流技術(shù)成為一種高效、低損耗的方法。由于功率MOSFET的導(dǎo)通電阻很低，能提高電源效率，所以在采用隔離Buck電路的DC/DC變換器中已開始形成產(chǎn)品。

同步整流技術(shù)是通過控制功率MOSFET的驅(qū)動電路，來利用功率MOSFET實現(xiàn)整流功能的技術(shù)。一般驅(qū)動頻率固定，可達200kHz以上，門極驅(qū)動可以采用交叉耦合或外加驅(qū)動信號配合死區(qū)時間控制實現(xiàn)。 

在傳統(tǒng)的次級整流電路中，肖特基二極管是低電壓、大電流應(yīng)用的首選。其導(dǎo)通壓降大于0.4V，當模塊電源的輸出電壓降低時，采用肖特基二極管的模塊效率損失驚人，在輸出電壓為5V時，效率可達85%左右，在輸出電壓為3.3V時，效率降為80%，1.5V輸出時只有65%，應(yīng)用已不現(xiàn)實。

在低輸出電壓應(yīng)用中，同步整流技術(shù)有明顯優(yōu)勢。功率MOSFET導(dǎo)通電流能力強，可以達到60A以上。采用同步整流技術(shù)后，次級整流的電壓降等于MOSFET的導(dǎo)通壓降，由MOSFET的導(dǎo)通電阻決定，而控制技術(shù)的進步降低了MOSFET的開關(guān)損耗。

傳統(tǒng)模塊電源由于基板結(jié)構(gòu)復(fù)雜，控制電路板?散熱器及磁芯元件的安裝和焊接都需要人工，增加了故障可能性，降低了生產(chǎn)效率?基板結(jié)構(gòu)要求功率元件與基板間必須保持良好絕緣，這是傳統(tǒng)電源容易產(chǎn)生故障的地方。采用同步整流技術(shù)后，可以使用無基板開放式結(jié)構(gòu)?更加方便采用平面變壓器等新技術(shù)，使用多層電路板上的銅箔布線作為線圈，磁芯直接嵌在多層電路板中，磁芯散熱良好，多層電路板上的銅箔耦合緊密，最主要的是可以由先進加工設(shè)備自動化生產(chǎn)，實現(xiàn)了電源模塊全自動化生產(chǎn)，極大地提高了生產(chǎn)效率和可靠性?

在基板結(jié)構(gòu)中還要填充絕緣導(dǎo)熱材料，增加了重量?帶有基板和散熱器的傳統(tǒng)電源模塊由于體積和重量大，抗震能力差，在電子設(shè)備中阻礙空氣流通，降低了風(fēng)扇效能?采用同步整流技術(shù)的模塊電源是開放式結(jié)構(gòu)，高度低并節(jié)約了空間，利于通風(fēng)，方便控制板上其它元件的散熱。

同步整流技術(shù)不僅僅帶來了效率的提升，還增強了抗電磁干擾的能力?在提高電路的動態(tài)響應(yīng)方面，如果采用CCM模式還會帶來動態(tài)響應(yīng)的提升。